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利用粉末冶金方法置备了Co90Fe10靶材，用X射线能量损失谱（EDX）分析靶材成分，并利用X射线衍射分析靶材的结构。CoFe薄膜在优于5．5×10^-4Pa的本底真空度下室温沉积在热氧化Si基片上．样品在3×10^-5Pa真空度下分别进行了450℃和500℃的60min退火处理。用EDX和俄歇电子能谱分别分析了靶材和薄膜的成分中Co，Fe的比例。X射线衍射发现沉积在热氧化Si基片上的CoFe膜（111）晶面面间距明显小于靶材相应晶面面间距．退火处理使膜（111）晶面面间距明显增大，趋