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研制出高优值系数的Ｐ型和Ｎ型赝三元系Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ３半导体致冷材料，在室温附近最高优值系数达到３．３×１０＾－３／Ｋ，致冷器件制作结果表明，热电性能高于二元系半导体致冷材料。
赝三元系半导体致冷材料及器件的研制
【摘 要】
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研制出高优值系数的Ｐ型和Ｎ型赝三元系Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ３半导体致冷材料，在室温附近最高优值系数达到３．３×１０＾－３／Ｋ，致冷器件制作结果表明，热电性能高于二元系半导体致冷材料。
【机 构】
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哈尔滨师范大学物理系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1994年2期
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