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从理论上计算了厚度为110nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的应力场分布,及由应力场分布引 折射率变化，在W0.95Ni0.05金属薄膜应变条件下半导体中0.2-2um深度范围内，由应变引起条形波导轴中央的介电常数ε相应增加2．3×10^-1-2.2×10^-2(2μm应变条宽）和1.2×10^-1-4.1×10^-2（4um应变条宽），同时，测量了由W0.95Ni0.05金属薄膜应永条所形成的InGaAsP/I