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垒层Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响
垒层Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Biremoon
【摘 要】
:
低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。测试结果表明垒层掺Si使量子阱的生长速度增加,掺
【作 者】
:
谭春华
范广涵
周天明
李述体
黄琨
雷勇
【机 构】
:
华南师范大学光电子材料与技术研究所
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
2005年2期
【关键词】
:
X双晶衍射
MOCVD
量子阱
光荧光
double crystal X-ray diffraction
MOCVD
QW
photoluminescen
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低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。测试结果表明垒层掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度增强了13倍。
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