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采用电化学沉积工艺，成功制备了铜／氧化铝（Cu／AAO）纳米有序阵列复合结构．研究结果发现，在A为570nm附近出现了明显的Cu表面等离子共振吸收峰，且随Cu沉积量的增加，吸收峰位稍有蓝移，其强度逐渐增强，峰形由宽变锐；另外还发现，该结构的吸收边随着Cu沉积量（或长径比）的增加大幅度红移，可以实现在近紫外至近红外的大范围内移动，最大频移量超过500nm，且Cu表面等离子振荡吸收峰会随着吸收边的大幅度红移被掩盖而逐渐消失．对该结构光吸收边的调制机理进行了理论分析，阐释了吸收峰逐渐消失的原因，并从理论上定性地