离子注入法增强YIG单晶薄膜的磁光效应

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利用离子注入技术,将Ce^+3离子注入到YIG单晶薄膜中,剂量为10^14-10^16ion/cm^2,能量为500keV。对注入前后的样品进行光吸收谱测量,发现注入后的样品光吸收有明显的增加,且样品颜色变深,对样品进行高温退火,可有效地降低光损耗,离子注入样品磁光特性测量表明Ce^+3薄膜有很大的磁光增强作用,且法拉第旋转角随注入剂量增加而增大。
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