具有86 mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wukuiyuxin66666

【摘要】

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在SiO2/Si（P^＋＋）衬底上制备了多层MoS2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值

【作者】

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刘强蔡剑辉何佳铸王翼泽张栋梁刘畅任伟俞文杰刘

【机构】

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上海大学物理系量子与分子结构国际中心,中科院上海微系统与信息技术研究所,深圳大学材料学院,德国于利希研究中心

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2017年5期

【关键词】

：

MoS2场效应晶体管良好的亚阈值斜率 SIO2栅介质界面态密度 MoS2 FETs excellent subthreshold swing SiO2

【基金项目】

：

Supported by the National Natural Science Foundation of China（61674161,61504083）, Open Project of State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Public welfare capacity building in Guang

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在SiO2/Si（P^＋＋）衬底上制备了多层MoS2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流（~10~（-13）A）处的信号,限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS2器件的表现,基于薄层SiO2栅氧的MoS2器件表现出了良好的性能和潜力,显示出丰富的应用前景.

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