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金刚石薄膜在氧化铝陶瓷上低压成核
金刚石薄膜在氧化铝陶瓷上低压成核
来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cyfzyzclwhzy
【摘 要】
:
在微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统中,用低压成核方法,在氧化铝陶瓷基片上获得了高成核密度的金刚石薄膜.实验表明,金刚石成核密度随系统压强减小而提高.在此基础上,提
【作 者】
:
王志明
夏义本
杨莹
方志军
王林军
居建华
范轶敏
张伟丽
【机 构】
:
上海大学材料科学与工程学院
【出 处】
:
无机材料学报
【发表日期】
:
2002年4期
【关键词】
:
金刚石薄膜
MPCVD
氧化铝陶瓷
系统压强
成核
化学气相沉积
集成电路
基片
动力学
diamond film MPCVD alumina substrat
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在微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统中,用低压成核方法,在氧化铝陶瓷基片上获得了高成核密度的金刚石薄膜.实验表明,金刚石成核密度随系统压强减小而提高.在此基础上,提出一种MPCVD系统中金刚石成核的动力学模型,并指出对应于最高成核密度有一临界压强存在.
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