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制造了一种新的高电压半导体起爆器(HVSCI),并在陆军研究实验室进行了测试。作为结构设计、生产制造项目的一部分,对HVSCI的概念进行了调研,并用500V的击穿电压来起爆非起爆药或猛炸药的方式,对其进行了射频(RF)安全半导体起爆器(SCI)试验。用一个双面抛光的硅膜构成了一个背对背(back-to-back)扩散型二极管装置,其击穿电压为300V。选用300V击穿电压水平是为了进行“概念证明”实验,以便将其发火结果直接与以前专为海军保护PHALANX近程武器系统(CIWS)炮弹而制造的、较低电压结构产