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采用ECR-PECVD低温沉积方法，以质量分数为5％的SiH4（配Ar气，SiH4：Ar=1：19）和H2为反应气体，在普通玻璃和单晶硅片衬底上直接沉积多晶硅薄膜，以期寻找到适合大规模工业化生产的方法。当衬底温度为500℃时，即能沉积高质量的多晶硅薄膜。沉积前，H2等离子体的清洗时间和流量对多晶薄膜的质量有较大的影响。通过与其他反应气体相比较，我们制备的多晶硅薄膜不含杂质。