无氧溅射方法制备OLED的ITO透明电极

来源 :光电子.激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：woaipsjz

【摘要】

：

采用氧化铟锡（ITO）合金材料作为靶材，通过射频磁控溅射制备ITO膜。将获得的ITO膜应用于结构为ITO／m-MTDATA（30nm）／NPB（20nm）／Alq3（50nm）LiF（0．8nm）／Al（100nm）的有机电致发光器件（OLED），得到了最大

【作者】

：

姜文龙段羽刘式墉

【机构】

：

吉林师范大学信息技术学院,吉林大学集成光电子学国家重点联合实验室

【出处】

：

光电子.激光

【发表日期】

：

2007年2期

【关键词】

：

无氧溅射氧化铟锡(ITO) 有机电致发光器件(OLED) 两面出光器件 oxygen-free sputtering ITO organic light em

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采用氧化铟锡（ITO）合金材料作为靶材，通过射频磁控溅射制备ITO膜。将获得的ITO膜应用于结构为ITO／m-MTDATA（30nm）／NPB（20nm）／Alq3（50nm）LiF（0．8nm）／Al（100nm）的有机电致发光器件（OLED），得到了最大亮度为11560cd／m^2（电压为25V）、最大效率为2．52cd／A（电压为14V）的结果。为了获得双面发光，制作了结构为ITO／m-MTDATA（30nm）／NPB（20nm）／Alq3（50nm）LiF（0．8nm）／Al（20nm）／ITO（

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