LaB6电子枪的Kramers-Heisenberg散射与Fermi分布

来源 :光电子.激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：blueblood008

【摘要】

：

分析了LaB6电子枪的Kramers-Heisenberg散射与电子束能量分布.以SDS-3电子束设备的电子枪为基础,加速电压为30 kV,通过双曲凹面加速器维纳尔（外敷碱土金属氧化物盖）使电子送达S

【作者】

：

尹明逄明祥

【机构】

：

山东大学控制学院电子束室,山东科技大学信息与电气工程学院

【出处】

：

光电子.激光

【发表日期】

：

2007年4期

【关键词】

：

电子束散射近轴轨迹失真分布 electron beam scatter par-axial trajectory distortion distribu

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分析了LaB6电子枪的Kramers-Heisenberg散射与电子束能量分布.以SDS-3电子束设备的电子枪为基础,加速电压为30 kV,通过双曲凹面加速器维纳尔（外敷碱土金属氧化物盖）使电子送达Si片靶心（置于光栏前）,讨论了维纳尔的电子轨迹与电子枪发射电子的Fermi分布,给出了测量LaB6电子枪分辨率的方法.与考虑了系统像差影响的理论计算结果进行比较,两者的最后结果基本一致.

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