用分子束外延法生长的Hg1—xCdxTe制作的红外光电二极管

来源 :红外与激光技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：allen_liliang

【摘要】

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用分子束外延(MBE)方法在Cd Te(111)B衬底上生长了0～20μm厚.具有器件品质的Hg_(1-x)Cd_xTe(0.26<x<0.33)外延层.原生态层为p型,典型的载流子浓度最低限度为10~(16)cm~(-3),77

【作者】

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陈林李捍东

【出处】

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红外与激光技术

【发表日期】

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1989年4期

【关键词】

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光电二极管碲镉汞红外分子外延

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用分子束外延(MBE)方法在Cd Te(111)B衬底上生长了0～20μm厚.具有器件品质的Hg_(1-x)Cd_xTe(0.26<x<0.33)外延层.原生态层为p型,典型的载流子浓度最低限度为10~(16)cm~(-3),77K时空穴迁移率大于220cm~2/V.s。用Be铍离子注入形成n~+-p结;通过标准的照相平版印刷技术制造出没有钝化的台面二极管。77K零偏置下,截止皮长4.0和5.7μm的碲镉汞,其电阻面积乘积(R_0A)分别为5.2×10~6和1.4×10~(

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