基于ArcWeld的电弧焊仿真模拟

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文章介绍了熔化极气保焊仿真模拟软件ArcWeld,利用ArcWeld进行焊接仿真时,根据用户定义的焊接条件,求解器确定计算域,并划分网格进行有限元分析,从初始条件和边界约束出发,在三维网格上迭代求解,最终得到收敛解,并将仿真结果显示在图形界面中.针对铝合金材料的气保焊过程基于不同的焊接条件进行了仿真计算,获得温度场分布和焊缝成形的预测结果,并依据仿真结果进行了分析.
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采用变激发功率红外光致发光(Photoluminescence,PL)光谱方法研究四个不同阱内δ掺杂面密度的GaSb0.93Bi0.07/GaSb单量子阱(Single Quantum Well,SQW)及其非掺杂SQW参考样品.通过分析GaSbBi SQW和GaSb势垒/衬底成分的PL强度演化,发现阱内δ掺杂导致红外辐射效率显著降低,相对下降幅度约为33%-75%.进一步分析结果表明,发光效率下降来源于界面恶化引发的“电子损失”和阱内晶格质量下降导致的“光子损失”的共同作用.这一工作有望为稀Bi红外发光
直线型和同轴型脉管制冷机被广泛应用于空间领域,尤其是同轴型脉管制冷机.同轴型脉管制冷机结构紧凑且使用便利,而直线型脉管制冷机结构简单且制冷效率高.目前,对于两类脉管制冷机的理论比较研究相对较少,因此开展相应的比较研究很有意义.本文分析了两款不同结构的单级脉管制冷机(直线型和同轴型).通过建立一维数值模型分析两款制冷机相关热力学参数的不同之处,从机理上揭示了不同结构会导致不同的制冷性能.通过比较两款制冷机的能量流及声功阻抗图,开展实验对两款制冷机性能进行测试和分析.结果表明:在相同的输入功率时,直线型脉管制
nBn红外探测器旨在消除肖特基-里德-霍尔产生复合电流,这将有效降低器件的暗电流并提高工作温度.由于制造工艺的兼容性和晶格匹配的衬底的存在,基于III-V化合物(包括二类超晶格材料)的nBn红外探测器得到了快速发展.通过理论模拟,基于HgCdTe材料的nBn红外探测器也能有效抑制暗电流.然而,去除价带势垒的困难阻碍了HgCdTe nBn器件的发展.本综述将阐述nBn探测器抑制暗电流的物理机制,并介绍nBn探测器在不同材料体系中的发展现状和趋势.“,”The nBn infrared(IR)detector
开展了不同重频下2.79μm中红外激光对PbS探测器的损伤实验.基于传热学理论,利用有限元法对2.79μm中红外激光辐照PbS探测器中的温度分布进行了数值分析,并比较了脉冲数目、重复频率对损伤效果的影响,分析了2.79μm中红外激光辐照PbS探测器的损伤机理,获取了相关阈值数据.研究表明,2.79μm中红外激光对PbS探测器的损伤机理主要以热熔融为主,在温度没有达到PbS熔点时,PbS就会发生热分解反应,析出黄色沉淀物PbO;计算得到单脉冲2.79μm中红外激光对PbS探测器的损伤阈值为13.03 J/c
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在不同氧分压下,用脉冲激光沉积法在c-蓝宝石衬底上制备了高质量β-Ga2O3?δ薄膜.通过X-射线衍射、远红外反射光谱、X-射线光电子能谱和紫外-可见-近红外透射光谱系统地研究了β-Ga2O3?δ薄膜的晶格结构、化学计量比和光学性质.X-射线衍射分析表明,所有沉积的薄膜以(-201)晶向方向生长.透射光谱显示薄膜在255 nm以上的紫外-可见-近红外波段具有80%以上的高透明度,同时在255 nm附近有一个陡峭的吸收边.此外,利用Tauc-Lorentz(TL)色散函数模型和Tauc公式,我们提取了β-G
当今是信息化时代,在工业化基础之上,数字化制造应运而生.火炸药是一类能源产品,其数字化制造技术也随之发展,但由于数字化制造与火炸药工艺的特殊性,有必要对相关的定义与内涵进行明确,对其技术体系进行构建.
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基于立方星辐射计直接检波系统,设计并实现了中心频率分别为89 GHz和150 GHz的两款毫米波零偏置肖特基检波器.检波器设计基于ACST的零偏置肖特基二极管.为了获得稳定、优越的性能以及较好的宽带特性,并易于与前级系统集成,更适于立方星辐射计小型化,在直流接地电路与输出电路处采用扇形线结构,并通过一段可调传输线对其端口阻抗进行优化.本文对肖特基二极管及检波器电路结构进行了分析、建模和优化.测试结果表明,W波段检波器在85~95 GHz范围内具有2500 V/W的典型灵敏度,在89 GHz测试的线性度为0
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