MoSi2能隙的高压调制

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采用LMTO-ASA方法,对过渡金属MoSi_2在高压下的电子结构性质进行了研究,计算中考虑了除自旋-轨道耦合外的所有相对论效应。结果表明:随着压缩度增加,MoSi_2小的能隙变宽,Mo的d电子与Si的p电子杂化增强,原子间相互作用增大,晶体在高压下更加紧密结合。这一能隙随压力增大而增大的结果,与非导体在高压下金属化的特性相反。
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