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SrTiO3的电学性质严重依赖于氧空位浓度。采用Ar+轰击SrTiO3能使其表面产生氧空位。本文提出了一种基于蒙特卡罗模拟辅助控制离子注入时间的方法,利用SRIM程序模拟Ar+注入SrTiO3,分析了氧空位的分布情况,再通过迭代计算研究氧空位浓度随时间的变化趋势。通过此算法得出时间与非晶化层的关系,从而辅助实验上控制离子注入的时间。