【摘 要】
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研究了SiCl4浓度对等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统中以SiCl4/H2为反应气体的微晶硅薄膜生长及光电特性的影响。结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率和晶化率均随SiCl4浓度的增
【基金项目】
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国家自然科学基金（11447197）, 安徽省教育厅资助项目（AQKJ2014B019）, 安徽省自然科学基金（1608085MA21）
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研究了SiCl4浓度对等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统中以SiCl4/H2为反应气体的微晶硅薄膜生长及光电特性的影响。结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率和晶化率均随SiCl4浓度的增加而增大,而晶粒平均尺寸在SiCl4浓度小于65%时呈增大趋势,在SiCl4浓度大于65%时呈减小趋势;此外,光照实验表明制备的微晶硅薄膜具有较稳定的微观结构,具有类稳恒光电导效应,且样品的电导率依赖于SiCl4浓度的变化。此外,还讨论了Cl基基团在微晶硅薄膜生长过程中所起的作用。
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