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本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域,具体涉及一种金属线溅射膜工艺。为了有效地解决金属线Al空洞问题,本发明在溅射完Al后,不溅射Ti,用N2气等离子体处理Al表面,使其表面形成一层薄的AlN膜(缓解Al和TiN之间的应力),而后直接溅射TiN膜,金属层结构为Ti/TiN/Al/AlN/TiN;刻蚀后金属线无需退火,