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针对BSIM3v3模型在35K低温下无法模拟LDD（轻掺杂漏区）所引起的串联电阻异常，提出了可以模拟这一异常的SPICE宏模型．通过修改CMOS器件常温BSIM3v3模型中的一些与温度有关的参数值，得到35KBSIM3v3模型．模拟结果表明，根据此模型进行参数提取后的I—V特性曲线与实测曲线十分吻合．最后，运用此模型对CMOS传输门和两级运算放大器进行仿真，结果表明LDD串联电阻效应对这些电路产生了重要影响，该模型明显提高了低温BSIM3v3的仿真精度．