场区加固工艺技术研究

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【摘要】

：

通过对应用在空间辐射环境下的CMOS LSI电离辐射效应的分析，从中找出电路加固的思路和方法。在电离辐射效应中，CMOS LSI的SiO2中正电荷的累积和SiO2-Si界面态的改变引起的参数

【作者】

：

郭常厚赵晓辉

【机构】

：

东北微电子研究所

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2007年6期

【关键词】

：

电离辐射效应互补型金属氧化物半导体大规模集成电路场区复合介质 ionization radiation effect CMOS LSI field

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通过对应用在空间辐射环境下的CMOS LSI电离辐射效应的分析，从中找出电路加固的思路和方法。在电离辐射效应中，CMOS LSI的SiO2中正电荷的累积和SiO2-Si界面态的改变引起的参数变化，会严重影响电路的性能和功能。SiO2中正电荷的累积与其厚度成正比。在CMOS电路中，起MOSFET隔离作用的场区SiO2层厚度最大，是加固的重点之一。主要介绍一种场区加固工艺技术。通过制造SiO2-Si3N4复合场介质层，减小了场氧化层的厚度并改变了SiO2-Si界面状态。在电离辐射效应试验中，使CMOS电路的漏

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