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<正> 众所周知,要测量和研究非晶态半导体薄膜(如非晶硅基合金膜:a-Si∶H、a-Si_(1-x)C_x∶H,a-Si_(1-x)Ge_x∶H,a-si_(1-x)N_x∶H,多层膜及非晶硫系合金膜:a-As_2S_3,a-AsTe_3、a-Ge-Si-As-Te)以及金刚石膜和类金刚石膜的平衡电子自旋共振(ESR)及光诱导电子自旋共振(LESR)特性,要研究薄膜器件特性(如非晶硅太阳电池的 p-i-n 结