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本文采用PECVD技术制备了SiO_xN_y薄膜。用光电子能谱仪和红外光谱仪等对薄膜的结构、组成和其它物理性质作了测量。对温度、功率等工艺参数对薄膜性质的影响作了研究。结果表明,该薄膜是一种非晶态无序结构的、具有良好的抗腐蚀和掩蔽特性的电绝缘介质膜。更多还原
PECVD法沉积SiOxNy及其性质研究
【摘 要】
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本文采用PECVD技术制备了SiO_xN_y薄膜。用光电子能谱仪和红外光谱仪等对薄膜的结构、组成和其它物理性质作了测量。对温度、功率等工艺参数对薄膜性质的影响作了研究。结果
【机 构】
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吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系化学系长春130023,化学系长春130023
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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1991年5期
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