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为了深入研究P型Si衬底的有机光电探测器的工艺条件对器件光电性能的影响，本文利用Dektak-8型a台阶仪及高分辨率TopometrixExptorer型原子力显微镜（AFM），对不同衬底温度及蒸发条件下沉积的有机薄膜表面厚度进行了测量；采用拓扑和侧向力接触两种模式，对其表面形貌及其变化规律进行了研究；对制成的光电探测器的光电性能进行了测试分析。结果表明，PTCDA在p—si（100）表面形成的多晶薄膜呈岛状形态，岛的大小及形貌受制备工艺条件的影响；当衬底温度为50℃、PTCDA的蒸发温度为420℃和蒸发