一种基于互补型单电子晶体管的全加器电路设计

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【摘要】

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基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SET构成的全加器电路结构.该全加器优点为:简化了"P-SET"逻辑块;通过选取一组参数使输入和

【作者】

：

孙铁署蔡理

【机构】

：

空军工程大学,空军工程大学

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

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2005年2期

【关键词】

：

单电子晶体管互补反相器全加器 SPICE宏模型 Single-Electron Transistors complementary inverter

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基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SET构成的全加器电路结构.该全加器优点为:简化了"P-SET"逻辑块;通过选取一组参数使输入和输出高低电平都接近于0.02 mV和0 mV,电压兼容性好;延迟时间短,仅为0.24 ns.SPICE宏模型仿真结果验证了它的正确性.

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