【摘 要】
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以硝酸镧、醋酸铅、钛酸丁酯和异丙醇锆为原料,乙二醇甲醚作溶剂.用简单的溶胶-凝胶法和快速退火工艺在Si(111)、石英和Pt/Ti/siO2/si(100)基片成功地制备出了高度多晶和(111
【机 构】
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广东工业大学,香港理工大学,中山大学
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以硝酸镧、醋酸铅、钛酸丁酯和异丙醇锆为原料,乙二醇甲醚作溶剂.用简单的溶胶-凝胶法和快速退火工艺在Si(111)、石英和Pt/Ti/siO2/si(100)基片成功地制备出了高度多晶和(111)取向生长的(Pb,La)(Ti,Zr)O3(PLZT)薄膜.用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌;测试了薄膜的铁电和介电特性.PLZT薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别为10.3 μC/cm2和36 kV/cm;在100 kHz,薄膜的介电常数和损耗因子分别为682和0.021.生长在石英基片上的薄膜具有好的透光性,当波
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