利用深度反转层反馈晶体管直接测量场效应管阈值电压

来源 :世界电子元器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ironfeet

【摘要】

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简介rn传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区.由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有

【机构】

：

Zalink公司

【出处】

：

世界电子元器件

【发表日期】

：

2002年7期

【关键词】

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反馈晶体管直接测量场效应管氧化区栅极深亚微米击穿电压工艺发展多晶硅重叠制造阈值连接厚度衬底场区掺杂边缘凹形

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简介rn传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区.由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄,而凹形衬底又是高度掺杂的,因此场阈值(25伏或更高)变得比栅极氧化区的击穿电压(15伏或更低)还要高.

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