【摘 要】
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采用RF反应磁控溅射技术在不同制备条件下制备了Al掺杂ZnO薄膜(ZAO),研究了不同条件下ZAO薄膜的光电性质.结果表明,薄膜电阻主要由晶界电阻决定,且导电性随Ar∶O2中O2含量增
【基金项目】
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2018年度本科实验实践教学改革与建设立项(BK0121004)
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采用RF反应磁控溅射技术在不同制备条件下制备了Al掺杂ZnO薄膜(ZAO),研究了不同条件下ZAO薄膜的光电性质.结果表明,薄膜电阻主要由晶界电阻决定,且导电性随Ar∶O2中O2含量增加而减小.薄膜具有强烈的紫外吸收特性,带隙大多超过3.3 eV,可见光区的透明性大于80%,并且透过率和Eg随Ar∶O2中O2含量的增加而增加,薄膜在紫光区域具有较强的光致发光特性,掺铝使光发射峰增强并蓝移.
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