【摘 要】
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与传统的硅（si）功率器件相比，碳化硅（SiC）功率器件具有击穿电场强度高、导热率高、开关频率高、通态电阻低等优点。将SiC功率器件引入交错并联Boost功率因数校正（PFC）电路，分析了临界
【基金项目】
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国家自然科学基金(51177003);安徽高校自然科学研究重点项目(KJ2016A805)~~
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与传统的硅（si）功率器件相比，碳化硅（SiC）功率器件具有击穿电场强度高、导热率高、开关频率高、通态电阻低等优点。将SiC功率器件引入交错并联Boost功率因数校正（PFC）电路，分析了临界导通模式（BCM）下电路的工作特性。给出了主电路元器件的设计方法及设计过程，搭建了以UCC28061为控制芯片的实验电路与测试平台。测试结果表明，在达到PFC的目的、降低电流纹波的同时，在数百千赫兹工作频率下，SiCMOSFET比SiMOSFET具有更低的结温．对提升系统的工作效率、降低损耗及装置的体积，具有积极的意
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