【摘 要】
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文中基于第三代半导体GaN功率器件的特点,研制了L波段一体化星载固态功率放大器。通过对承受高功率的多层结构宽边耦合器的仿真,设计了小型化、大功率合成器,将两只80 W内匹
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文中基于第三代半导体GaN功率器件的特点,研制了L波段一体化星载固态功率放大器。通过对承受高功率的多层结构宽边耦合器的仿真,设计了小型化、大功率合成器,将两只80 W内匹配GaN功率器件进行功率合成,经过ALC电路设计,确保了固态功放输出功率的稳定性。实测结果表明,在L波段(f0±40 MHz),固态功放的输出功率达到137 W(51.37 d Bm),功率增益74.7 dB,功率效率48.5%,杂散抑制63 dBc,-25~60℃内,输出功率波动小于0.2dB;热仿真结果显示,在60℃环境下,GaN器件结温为136.98℃。经过了壳温70℃的加速寿命试验,试验时间超过5000小时,固放工作正常。
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