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本文采用基于密度泛函理论(DFT)框架下的平面波超软赝势法研究了体相Si和Si(111)面。计算得到的体相Si的晶格常数、体积模量和结合能较好地与其它文献结果吻合。在表面结构中,由于Si-3p态的影响导致键长和电荷密度的改变。键长在第一二层,二三层和三四层之间由2.338A变为2.286A,2.382A,2.352A,电荷密度由0.57946×10^3 electrons/nm^3变为0.60419×10^3,0.5143×10^3和0.55925×10^3 ele