论文部分内容阅读
ZnO为直接宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度达到3.37eV,束缚激子结合能高达60meV,可广泛用于光电器件、表面声波器件、场发射材料、传感器、紫外激光器及太阳能电池等。由于结构形貌与材料的性能和应用相关,ZnO纳米材料形貌控制一直是该材料研究领域的热点。由ZnO纳米棒和纳米线组成一定规则的聚集体,可以构筑特殊的纳米功能材料和纳米器件,已引起人们的高度关注。具有特殊花样的ZnO单晶聚集体的制备方法有水热法、热蒸发输运沉积法和超声辐照法等。