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本文研究了Ｎｂ２Ｏ５和Ｓｂ２Ｏ３施主掺杂对ＴｉＯ２瓷的半导化和电容－压敏复合功能特性的影响，施主掺杂的最佳量是０．５ｍｏｌ％。结果表明，Ｎｂ２Ｏ５掺杂能较大的降低ＴｉＯ２瓷的电阻率和提高其介电常数。掺杂Ｎｂ２Ｏ５和Ｓｂ２Ｏ３的ＴｉＯ２瓷，均呈现优异的电压－电流的非线性关系，具有较低的初始电压，低的泄漏电流和较大和非线性系数。