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多层金属布线互连技术是ＶＬＳＩ工艺中最重要的关键的技术这一。本文系统地研究了用于０．８μｍＣＭＯＳ ＶＬＳＩ的双层金属布线工艺技术，特别是对双层金属布线层间介质的平坦化，接触孔和通孔的低阻欧姆接触可靠的金属互连等关键工艺进行了分析讨论。
适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究
【摘 要】
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多层金属布线互连技术是ＶＬＳＩ工艺中最重要的关键的技术这一。本文系统地研究了用于０．８μｍＣＭＯＳ ＶＬＳＩ的双层金属布线工艺技术，特别是对双层金属布线层间介质的平坦化，接触孔和通孔的低阻欧姆接触
【机 构】
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中国科学院微电子中心研究部
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年3期
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