GaAs基单电子晶体管低温探测THz光子的研究

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低温条件下具有肖特基围栅结构的GaAs基单电子晶体管可重复探测到THz光子的光电流响应,实验表明,2.54THz的CH3OH气体激光垂直入射到单电子晶体管的量子点上,在随栅压变化的源漏共振电流峰附近,产生附加电流峰.通过这两个峰位的栅压间距可以估算出THz光子的能量.这表明附加电流峰是由THz光子辅助电子隧穿产生的.实验和理论都表明,单电子晶体管量子点尺寸的减小有利于THz光电流信号的增强.
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