复合离子(W0.5Mg0.5)4+掺杂BNBT陶瓷的微结构及低场/高场压电性能

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采用固相烧结法制备了(W0.5Mg0.5)4+复合离子掺杂的(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06Ti1-x(W0.5Mg0.5)xO3(BNBT-x WM)无铅陶瓷,研究了(W0.5Mg0.5)4+复合离子掺杂量对BNBT陶瓷的表面形貌、微观结构,以及铁电、应变、压电、介电等电学性能的影响。结果表明:(W0.5Mg0.5)4+复合离子进入了BNBT陶瓷的B位并形成了单一的钙钛矿结构,且陶瓷样品晶界清晰,结构致密。(W0.5Mg0.5)4+掺杂增大了剩余极化强度和饱和极化强度。(W0.5Mg0.5)4+复合离子的掺杂使电致应变曲线由蝴蝶形变为嫩芽形,在x=0.03时获得0.429%(质量分数)的高电致应变响应,d33*的最大值为833.1 pm/V,其外加高场仅有60 k V/cm。在x=0.02时其低场小信号的压电性能d33有235 p C/N。BNBT-x WM陶瓷的介电常数随着掺杂含量的增多逐渐降低且平坦化,同时向弛豫铁电体转变。
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