超宽频带VHF频段CMOS LC VCO

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bdysh

【摘要】

：

实现了一个宽频带VHF频段CMOS VCO．其最大的改进在于将振荡器中交叉耦合MOS管分为并联可开关的若干段．这样使其特性可以在较大范围内补偿VCO调频过程中状态的变化．该VCO使用标准

【作者】

：

宁彦卿王志华陈弘毅

【机构】

：

清华大学微电子学研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年1期

【关键词】

：

宽带压控振荡器 CMOS wideband VCO CMOS

【基金项目】

：

国家自然科学基金（批准号：60372021,60475018）和国家重点基础研究发展规划（批准号,G2000036508）资助项目

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实现了一个宽频带VHF频段CMOS VCO．其最大的改进在于将振荡器中交叉耦合MOS管分为并联可开关的若干段．这样使其特性可以在较大范围内补偿VCO调频过程中状态的变化．该VCO使用标准0-18pmCMOS工艺制作，核心版图面积约为550μm×700μm．测试结果表明：该VCO频率覆盖范围为31～111MHz；功耗为0．3～6．9mW；在100kHz频偏处相位噪声约-110dBc／Hz．

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