【摘 要】
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本文研究了电子束辐照下的Si—Al_2O_3结构的辐射效应,测试了不同能量、不同剂量及剂量率的电子辐照前后的C—V特性。实验结果说明:电子辐射使MAS结构的氧化层产生负电荷,在S
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本文研究了电子束辐照下的Si—Al_2O_3结构的辐射效应,测试了不同能量、不同剂量及剂量率的电子辐照前后的C—V特性。实验结果说明:电子辐射使MAS结构的氧化层产生负电荷,在Si—Al_2O_3界面形成快界面态。我们认为引起这种变化的主要原因是由于电子的轰击引起了位移效应、电离效应所致,同时也引起了界面附近硅中杂质浓度的再分布.
In this paper, the radiation effects of Si-Al 2 O 3 structures under electron beam irradiation were studied. The C-V properties of the Si-Al 2 O 3 structures under different irradiation doses and dose rates were tested. The experimental results show that the electron radiation produces a negative charge on the oxide layer of the MAS structure and forms a fast interface state at the Si-Al 2 O 3 interface. We think that the main reason for this change is the displacement effect and ionization effect caused by the electron bombardment and the redistribution of the impurity concentration in silicon near the interface.
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