【摘 要】
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随着软件无线电、软件化卫星等技术的发展,中间件作为软件平台支撑技术得到广泛的研究。当前中间件主要包含面向对象的组件型和消息中间件,但是大部分中间件,如Kafka、RocketMQ等均面向个人计算机平台应用,无法适配到嵌入式平台上。同时其设计过多关注高并发和高性能,无法满足军用电子系统实时性、高可靠等方面的要求。为了满足此类应用,对象管理组织提出了以数据为中心的发布/订阅通信模式为其提供数据分发服务,并发布了相关规范。通过将轻量化的极端资源受限环境数据分发服务(Extreme Resource Constr
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随着软件无线电、软件化卫星等技术的发展,中间件作为软件平台支撑技术得到广泛的研究。当前中间件主要包含面向对象的组件型和消息中间件,但是大部分中间件,如Kafka、RocketMQ等均面向个人计算机平台应用,无法适配到嵌入式平台上。同时其设计过多关注高并发和高性能,无法满足军用电子系统实时性、高可靠等方面的要求。为了满足此类应用,对象管理组织提出了以数据为中心的发布/订阅通信模式为其提供数据分发服务,并发布了相关规范。通过将轻量化的极端资源受限环境数据分发服务(Extreme Resource Constr
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针对系统级封装(System in Package,SiP)中多尺度复杂结构的热仿真效率等问题,采用热阻网络等效热导率方法,推导得到等效热导率模型。与精确SiP模型相比,等效模型的仿真效率提高了58%,同时保证了仿真精度,两者之间误差为7.6%。对等效SiP模型进行散热优化设计,分析带散热器的自然对流、带散热器的强迫风冷和微通道液冷3种方案的散热效果,结果显示微通道液冷表面传热系数大,散热能力更强,完全满足高功率SiP可靠工作的温度要求。
针对电磁频谱战中己方频率冲突问题,提出一种考虑频谱管理的干扰机阵位规划方式,通过在阵位作战效能中增加用频冲突指数,使规划的阵位能够满足对敌方的压制效果,同时减轻对己方战斗机的干扰,提高频谱利用率。首先研究联合突防压制作战概念,并建立远距离支援干扰效能模型和用频冲突检查模型,基于模型制定了阵位规划方案。最后通过仿真验证此阵位规划方式的有效性。结果表明,该方式对电磁频谱战中的阵位规划有较高指导意义。
设计一种低剖面高增益平面螺旋天线。通过利用吸收型平面螺旋天线与反射型平面螺旋天线相结合的方式降低天线的剖面高度,提高天线增益;通过曲折臂末端加载结构,在不影响天线增益的前提下降低天线口径尺寸。设计的平面螺旋天线直径为120 mm,剖面高度33 mm,在1~6 GHz范围内,相比于普通的平面螺旋天线剖面高度大大降低,增益得到明显提高。测试结果表明,驻波小于2.5,低端增益大于-5 dB,高端增益大于5 dB。
在电子对抗作战过程中对敌方雷达进行威胁评估是电子对抗指挥决策的前提条件之一。由于敌方雷达种类以及威胁影响因素繁多,选取陆基预警雷达为研究对象,依据敌方雷达固有技战术参数进行威胁评估,分析并建立陆基预警雷达固有威胁评估指标体系,基于层次分析法(AHP)实现对陆基预警雷达的固有威胁评估。仿真结果表明该评估方法可对陆基预警雷达固有威胁进行有效量化评估。
电子战系统通常采用外辐射源对阵列系统进行通道间相位校正。在室外环境下,受到反射、散射等多径信号叠加的影响,校正得到的相位差已经不是真实入射角度对应的相位差,对系统的高精度测向带来影响。提出一种利用线性调频信号进行阵列系统相位误差校正的方法,通过对接收信号的去斜,实现多径信号与直达信号在频域上的分辨,进而测量出该频点下通道间的相位误差,实现对该角度下的相位误差校正。理论分析和仿真计算表明,该方法能够在多径条件下大幅减小系统校正的相位误差,从而提高系统测向精度。
陶瓷球栅阵列(CBGA)封装由于其优异的电性能和气密性等优点而被广泛应用于军事、航空和航天电子制造领域中。CBGA陶瓷基板与印制电路板(PCB)之间的热失配一直是CBGA封装可靠性研究主要关心的问题。对CBGA器件装配工艺进行研究,并对焊点在温度循环(-55~+100℃)和随机振动条件下的失效机理进行分析。结果表明,焊点在温度循环和随机振动等综合应力作用下发生开裂,器件四角处的焊点最先发生开裂,开裂位置为焊料与陶瓷器件焊盘接触位置。温度循环试验后CBGA器件焊点形成的IMC层厚度略有增加。
选取了纯银键合丝和有机包覆银键合丝,通过抗硫化腐蚀试验,分析对比其表面形貌、电学性能和键合性能。结果表明,表面包覆的有机膜有效减少了银键合丝表面由于Ag与S反应生成的Ag2S,保障了银丝金属光泽和低电阻电学性能,保证了银丝在引线键合过程中的稳定性能,为解决银键合丝易硫化腐蚀的问题提供了可行性方案。
研究了SiC功率MOSFET的γ辐照总剂量效应,获得了其在不同总剂量辐照以及不同环境温度下的输出特性和转移特性,并探究了γ辐照和环境温度对阈值电压、漏极饱和电流、工作状态的影响规律。研究结果表明,栅氧化层的辐照损伤是导致SiC MOSFET性能退化的主要原因。器件的输出特性、阈值电压及工作状态受辐照剂量影响明显,经室温退火后,器件性能有一定恢复。器件静态特性随温度的变化规律不易受γ辐照影响,辐照前后其阈值电压的温度系数均约为-2.71 mV/K,表明该器件阈值电压具有较好的温度稳定性。
集成电路检验和失效分析相关标准中提出了芯片去层制备的要求,但因未提供相应的操作方法而缺乏可操作性。去层制备方法与芯片的物理层次结构和材料紧密相关,探讨了离子刻蚀法、机械研磨法、化学腐蚀法等去层制备方法与芯片物理层次、材料的适用性,选用实际芯片完成玻璃钝化层、介质层和金属化层的制备和去除,获得了可以满足检验和分析要求的物理层次。提出的芯片去层制备方法可以为相应标准提供补充,使其具有可操作性,为检测机构和用户单位的检验和分析过程提供了参考。
抗辐射单元库是快速完成抗辐射数字电路设计的基础。基于0.18μm CMOS加固工艺总剂量及单粒子效应加固策略,从单元库规格制定、逻辑与版图设计、单元库特征参数提取及布局布线文件抽取、单元库设计套件质量保证到最终硅验证,完成了抗辐射单元库的全流程开发。抗辐射单元库在速度、面积、功耗及抗辐射性能4个方面表现出良好的均衡性,具有广泛的应用前景。