SiC晶片超精密化学机械抛光技术

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:justmxx
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
分析了碳化硅(SiC)材料加工原理与难点,介绍了SiC晶片的精密抛光技术,使用化学机械抛光(CMP)方法对4英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC晶片进行了超精密加工,通过调整抛光液体积流量、抛光头转速、抛光压力以及抛光时间等工艺参数对SiC晶片进行了对比加工实验.采用原子力显微镜(AFM)对CMP前后SiC晶片的Si面粗糙度进行了测试,并对各工艺参数对晶片粗糙度的影响进行了分析.经过对工艺参数的优化,得到了表面粗糙度为0.099 nm的超光滑表面SiC晶片.
其他文献
电磁拓扑分析方法将一个复杂系统的求解问题等效成许多子系统问题的求解,能够有效降低复杂电子系统电磁干扰问题求解的难度.本文针对双层屏蔽腔内辐射源对传输线电磁干扰求解问题,提出了一种计算腔内电偶极子辐射源对传输线负载电磁耦合的电磁拓扑分析方法.阐述了双层屏蔽腔内传输线耦合机理,建立了腔内传输线负载电磁干扰的电磁拓扑图和信号流图.根据腔体本征模理论、Bethe理论以及BLT方程,得到了传输线负载干扰电压.结果 表明本文方法能够准确计算腔内干扰源对传输线负载干扰,且计算效率高,占用内存少.
基于并联短截线谐振器与联接线变换器构成的传统微带带通滤波结构,提出了一种工作在S波段的改进型宽带带通滤波器.以三阶结构为例,通过将两侧并联短截线进行弯折,形成耦合线结构;将中间并联短截线进行拆分,变为并联的短路线和开路线,实现了在通带性能基本不变的前提下,获得阻带可调控的传输零点,进而提高过渡带陡峭度.为了进一步抑制阻带,在滤波器两侧级联扇形微带低通滤波结构,改善阻带性能.利用ADS和HFSS仿真软件对滤波器结构进行仿真优化设计,并最终进行了实物加工和测试.实测结果表明,通带内2~4 GHz插入损耗小于0
涡轮来袭!越来越多的类国际元素开始出现在CTCC的现场。也有越来越多的中国元素出现在现场,这是CTCC的进步。    中汽联主席在今年的CTCC厂商委员会第一次会议上表示,“CTCC已经小学毕业了。”这从一个侧面说明了官方对于这个比赛的满意程度。    两件大事  在刚刚结束的CTCC2011年揭幕战上有两件大事,第一件是涡轮增压组终于上场了,虽然差点全军覆没,但改改总有上升的时候,关键在于这么一
期刊