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利用特征矩阵法，研究了光波正入射到光子晶体时，一维光子晶体的带隙结构随周期数的变化。结果表明，对于不含缺陷层的光子晶体，随着光子晶体周期数的增加，光子晶体的带隙宽度变化不大，而带隙率变化明显。对于含缺陷层的光子晶体，在缺陷层两侧周期数相同时，周期数的增加使得光子晶体的“光谱挖孔”效果明显；在其两侧周期数不同时，只有在两边周期数接近时“光谱挖孔”才有一定的效果。