Annealing behavior of ultrathin Mo layer located at interface or on surface of Ti－Si system

来源 :核技术：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hufei1984

【摘要】

：

Annealing behavior, at different annealing temperatures, of an ultrathin Mo layer located between a Ti film and Si substrate or deposited on the top of surface

【作者】

：

ZHANGZhi－Bin ZHANGshi－Li

【机构】

：

LaboratoryofNuclearAnalysesandTechniques,KungligaTekniskaHoegskolan

【出处】

：

核技术：英文版

【发表日期】

：

2001年3期

【关键词】

：

钼薄膜退火行为 Ti-Si系统 Silicidation TiSi2 (Mo Ti)Si2

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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