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本文叙述了在通用扩散炉上实现大面积超厚硅片电气参数一致性的有效方法，在使用本工艺之前，芯片径向电阻的非均匀性在２０％左右。使用本工艺后，非均匀性减小到１０％以内，一般可以控制在６％左右。有效地解决了普通设备加工特殊硅片的技术问题。
提高扩散硅压力传感器扩散电阻一致性的有效方法
【摘 要】
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本文叙述了在通用扩散炉上实现大面积超厚硅片电气参数一致性的有效方法，在使用本工艺之前，芯片径向电阻的非均匀性在２０％左右。使用本工艺后，非均匀性减小到１０％以内，一般可以控制在６％左右
【机 构】
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沈阳仪器仪表工艺研究所,沈阳仪器仪表工艺研究所沈阳市110043,沈阳市110043,沈阳市110043
【出 处】
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仪表技术与传感器
【发表日期】
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1996年1期
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