三缺位杂多阴离子PW9O34^9—的二苯基硅衍生物的合成和表征

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以Na8H[PW9O34]·nH2O与Ph2SiCl2为原料于乙腈中合成了三缺位杂多阴离子的二苯基硅衍生物(TBA)3[α-A-PW9O34(Ph2Si)3](TBA为四丁基铵盐的缩写)(记为I),并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征,结果表明,二苯基硅通过六个Si-O-W桥键填充到三缺位杂多阴离子的骨架上,形成了开环的饱和笼形结构.热分析结果表明,该化合物的热分解温度在495.2℃左右.
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