【摘 要】
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研究了Ｗ＆Ｒ（先绕后烧）工艺中弯曲半径、绝缘材料对银套Ｂｉ－２２２３带材Ｉｃ的影响。用Ｗ＆Ｒ法制备了内径１６ｍｍ、外径８０ｍｍ．高４７ｍｍ四双饼串联组合磁体，４．２Ｋ下Ｉｃ＝５５Ａ．磁体中心磁场Ｂ０＝０．４４Ｔ。
The influence of bending radius and insulating
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研究了Ｗ＆Ｒ（先绕后烧）工艺中弯曲半径、绝缘材料对银套Ｂｉ－２２２３带材Ｉｃ的影响。用Ｗ＆Ｒ法制备了内径１６ｍｍ、外径８０ｍｍ．高４７ｍｍ四双饼串联组合磁体，４．２Ｋ下Ｉｃ＝５５Ａ．磁体中心磁场Ｂ０＝０．４４Ｔ。
The influence of bending radius and insulating material on the silver-clad Bi-2223 strip Ic was investigated in the W & R process. W & R method was used to prepare the inner diameter of 16mm, the outer diameter of 80mm. 47mm high double four pancake series combination magnet, Ic = 55A under 4.2K. Magnet center magnetic field B0 = 0.44T.
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