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测量和分析了1μm LDD MOSFET的穿通特性,与常规结构的MOSFET加以比较.结果表明,LDD结构能够有效地抑制DIBL效应、大幅度地提高短沟道MOSFET的源漏穿通电压.此外,还给出LDD MOSFET源漏穿通机制的定性解释.
漏轻掺杂MOSFET的源漏穿通
【摘 要】
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测量和分析了1μm LDD MOSFET的穿通特性,与常规结构的MOSFET加以比较.结果表明,LDD结构能够有效地抑制DIBL效应、大幅度地提高短沟道MOSFET的源漏穿通电压.此外,还给出LDD M
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所上海,上海,上海
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1989年3期
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