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最近南京电子器件研究所在研制长脉宽工作、高增益硅脉冲功率晶体管领域取得重大进展。器件工作频率3．1～3．4 GHz，脉冲宽度300 μs，占空比10％，输出功率大于12 W，功率增益大于9．5 dB，效率大于35%，顶降小于0．5 dB，带内平坦度小于1．25 dB。器件具有抗1 dB输入过激励、3∶1输出失配的能力。