【摘 要】
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本文就如何在TDR-40A单晶炉上拉制出φ76.2mm重掺砷硅单晶作了介绍,提供了试验装置,给出了工艺条件及试验结果,并对重掺砷和重掺锑晶体的异同点进行了初步讨论。重掺锑硅单晶
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本文就如何在TDR-40A单晶炉上拉制出φ76.2mm重掺砷硅单晶作了介绍,提供了试验装置,给出了工艺条件及试验结果,并对重掺砷和重掺锑晶体的异同点进行了初步讨论。重掺锑硅单晶比重掺砷单晶需要更大的(dT/dz)_L,重掺砷硅单晶与重掺锑硅单晶同样有(111)小平面存在,但没有杂质析出现象。
In this paper, how to pull φ76.2mm heavily arsenic-doped silicon single crystal on TDR-40A single crystal furnace is introduced. A test device is provided. The process conditions and test results are given. Crystal similarities and differences were discussed. (DT / dz) _L is needed for the specific gravity of a-Sb-doped single crystals, and the (111) facets also exist for the heavily-doped a-Si monocrystals and the heavily-doped antimony-doped silicon single crystals, but no impurity is precipitated.
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