【摘 要】
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利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法（ICP-PECVD）直接在普通玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜，主要研究了不同氢气稀释比例对薄膜沉积特性和微观结构的影响。采用X射线衍射仪（XR
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利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法（ICP-PECVD）直接在普通玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜，主要研究了不同氢气稀释比例对薄膜沉积特性和微观结构的影响。采用X射线衍射仪（XRD）、拉曼光谱仪和扫描电子显微镜（SEM）表征了在不同氢气比例条件下所制备多晶硅薄膜的微结构、形貌，并对不同条件下样品的沉积速率进行了分析。实验结果表明：随着混合气体中硅烷比例的增加，薄膜的沉积速率不断增加；晶化率先增加，后减小；当硅烷含量为4.8%时，晶化率达到最大值67.3%。XRD和SEM结果显示多晶硅薄膜在普通玻璃衬底上
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