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以III族氮化物为代表的第三代半导体材料，多为禁带宽度显著大于Si和GaAs的宽禁带半导体材料（InN除外），是实现高效率、高性能光电子和微电子器件的基础。因此，被公认是当前国际光电信息技术领域的战略制高点，各国均投入大量人力物力进行相关研发。
III族氮化物第三代半导体材料发展现状与趋势
【摘 要】
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以III族氮化物为代表的第三代半导体材料，多为禁带宽度显著大于Si和GaAs的宽禁带半导体材料（InN除外），是实现高效率、高性能光电子和微电子器件的基础。因此，被公认是当前国际光电
【机 构】
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科技部高技术研究发展中心,中国科学院福建物质结构研究所
【出 处】
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科技中国
【发表日期】
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2018年4期
【基金项目】
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本报告为科技创新战略研究专项项目“重点科技领域发展热点跟踪研究”（编号：ZLY2015072）研究成果之一
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