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氮化镓的性质及其金属有机化学蒸汽沉淀法赵育明，周科衍（大连理工大学化学系，１１６０１２）１ＧａＮ的性质及其应用ＧａＮ是一种重要的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，它具有以下特性：较宽的直接带隙（３．４ｅＶ），很高的电导率和热导率，很高的硬度（接近于蓝宝石）及...
氮化镓的性质及其金属有机化学蒸汽沉淀法
【摘 要】
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氮化镓的性质及其金属有机化学蒸汽沉淀法赵育明，周科衍（大连理工大学化学系，１１６０１２）１ＧａＮ的性质及其应用ＧａＮ是一种重要的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，它具有以下特性：较宽的直接带隙（３．４ｅＶ），很高的电导率和热
【机 构】
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大连理工大学化学系
【出 处】
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现代化工
【发表日期】
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1996年3期
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